Study of the photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS structure at cryogenic temperatures

Bondarev, I. A.; Rautskii, M. V.; Yakovlev, I. A.; Volochaev, M. N.; Lukyanenko, A. V.; Tarasov, A. S.; Volkov, N. V.

doi:10.1134/S1063782619140045

Author:

Bondarev, I. A.

Rautskii, M. V.

Yakovlev, I. A.

Volochaev, M. N.

Lukyanenko, A. V.

Tarasov, A. S.

Volkov, N. V.

Corporate Contributor:

Институт инженерной физики и радиоэлектроники

Базовая кафедра физики твердого тела и нанотехнологий

Date:

2019-12

Journal Name:

Semiconductors

Journal Quartile in Scopus:

Journal Quartile in Web of Science:

Bibliographic Citation:

Bondarev, I. A. Study of the photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS structure at cryogenic temperatures [Текст] / I. A. Bondarev, M. V. Rautskii, I. A. Yakovlev, M. N. Volochaev, A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, N. V. Volkov // Semiconductors. — 2019. — Т. 53 (№ 14).

Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала.

Collections:

Статьи в научных журналах (эффективный контракт) [5211]

Metadata:

Show full item record