Показать сокращенную информацию
Study of the photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS structure at cryogenic temperatures
Автор | Bondarev, I. A. | |
Автор | Rautskii, M. V. | |
Автор | Yakovlev, I. A. | |
Автор | Volochaev, M. N. | |
Автор | Lukyanenko, A. V. | |
Автор | Tarasov, A. S. | |
Автор | Volkov, N. V. | |
Дата внесения | 2021-08-13T09:32:01Z | |
Дата, когда ресурс стал доступен | 2021-08-13T09:32:01Z | |
Дата публикации | 2019-12 | |
Библиографическое описание | Bondarev, I. A. Study of the photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS structure at cryogenic temperatures [Текст] / I. A. Bondarev, M. V. Rautskii, I. A. Yakovlev, M. N. Volochaev, A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, N. V. Volkov // Semiconductors. — 2019. — Т. 53 (№ 14). | |
ISSN | 10637826 | |
URI (для ссылок/цитирований) | https://www.springer.com/journal/11453 | |
URI (для ссылок/цитирований) | https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/142697 | |
Описание | Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала. | |
Название | Study of the photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS structure at cryogenic temperatures | |
Тип | Journal Article | |
Тип | Journal Article Preprint | |
Дата обновления | 2021-08-13T09:32:01Z | |
DOI | 10.1134/S1063782619140045 | |
Институт | Институт инженерной физики и радиоэлектроники | |
Подразделение | Базовая кафедра физики твердого тела и нанотехнологий | |
Журнал | Semiconductors | |
Квартиль журнала в Scopus | Q3 | |
Квартиль журнала в Web of Science | Q4 |