Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения / Spin Accumulation in the Fe3Si/n-Si Epitaxial Structure and Related Electric Bias Effect

Тарасов, А. С.; Лукьяненко, А. В.; Бондарев, И. А.; Яковлев, И. А.; Варнаков, С. Н.; Овчинников, С. Г.; Волков, Н. В.

doi:10.1134/S1063785020070135

Автор:

Тарасов, А. С.

Лукьяненко, А. В.

Бондарев, И. А.

Яковлев, И. А.

Варнаков, С. Н.

Овчинников, С. Г.

Волков, Н. В.

Коллективный автор:

Институт инженерной физики и радиоэлектроники

Базовая кафедра физики твердого тела и нанотехнологий

Дата:

2020-07

Журнал:

Письма в Журнал технической физики =Technical Physics Letters

Квартиль журнала в Scopus:

Квартиль журнала в Web of Science:

Библиографическое описание:

Тарасов, А. С. Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения / Spin Accumulation in the Fe3Si/n-Si Epitaxial Structure and Related Electric Bias Effect [Текст] / А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев, И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, Н. В. Волков // Письма в Журнал технической физики =Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46 (№ 7). — С. 665-668

Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала.

Коллекции:

Статьи в научных журналах (эффективный контракт) [5211]

Метаданные:

Показать полную информацию