Показать сокращенную информацию
Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения / Spin Accumulation in the Fe3Si/n-Si Epitaxial Structure and Related Electric Bias Effect
| Автор | Тарасов, А. С. | |
| Автор | Лукьяненко, А. В. | |
| Автор | Бондарев, И. А. | |
| Автор | Яковлев, И. А. | |
| Автор | Варнаков, С. Н. | |
| Автор | Овчинников, С. Г. | |
| Автор | Волков, Н. В. | |
| Дата внесения | 2021-08-13T09:32:01Z | |
| Дата, когда ресурс стал доступен | 2021-08-13T09:32:01Z | |
| Дата публикации | 2020-07 | |
| Библиографическое описание | Тарасов, А. С. Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения / Spin Accumulation in the Fe3Si/n-Si Epitaxial Structure and Related Electric Bias Effect [Текст] / А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев, И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, Н. В. Волков // Письма в Журнал технической физики =Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46 (№ 7). — С. 665-668 | |
| URI (для ссылок/цитирований) | https://journals.ioffe.ru/articles/49591 | |
| URI (для ссылок/цитирований) | https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/142695 | |
| Описание | Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала. | |
| Название | Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения / Spin Accumulation in the Fe3Si/n-Si Epitaxial Structure and Related Electric Bias Effect | |
| Тип | Journal Article | |
| Тип | Journal Article Preprint | |
| Страницы | 665-668 | |
| Дата обновления | 2021-08-13T09:32:01Z | |
| DOI | 10.1134/S1063785020070135 | |
| Институт | Институт инженерной физики и радиоэлектроники | |
| Подразделение | Базовая кафедра физики твердого тела и нанотехнологий | |
| Журнал | Письма в Журнал технической физики =Technical Physics Letters | |
| Квартиль журнала в Scopus | Q2 | |
| Квартиль журнала в Web of Science | Q4 |
