Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure

Patrin, G. S.; Turpanov, I. A.; Yushkov, V. I.; Kobyakov, A. V.; Patrin, K. G.; Yurkina, G. Yu.; Zhivaya, Ya. A.

doi:10.1134/S0370274X19050084

Автор:

Patrin, G. S.

Turpanov, I. A.

Yushkov, V. I.

Kobyakov, A. V.

Patrin, K. G.

Yurkina, G. Yu.

Zhivaya, Ya. A.

Коллективный автор:

Институт инженерной физики и радиоэлектроники

Кафедра физики

Кафедра общей физики

Дата:

2019

Журнал:

JETP Letters

Квартиль журнала в Scopus:

Квартиль журнала в Web of Science:

Библиографическое описание:

Patrin, G. S. Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure [Текст] / G. S. Patrin, I. A. Turpanov, V. I. Yushkov, A. V. Kobyakov, K. G. Patrin, G. Yu. Yurkina, Ya. A. Zhivaya // JETP Letters. — 2019. — Т. 109 (№ 5).

Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала.

Аннотация:

Films consisting of a hard magnetic ferromagnet CoNi and a soft magnetic ferromagnet FeNi interacting through a nonmagnetic Si semiconductor spacer are experimentally studied. The temperature and field dependences of the magnetic properties of film structures with different silicon thicknesses are examined. It is found that the multilayer structure has the properties inherent in magnetic springs and exhibits positive exchange bias as a function of the silicon thickness

Коллекции:

Статьи в научных журналах (эффективный контракт) [5211]

Метаданные:

Показать полную информацию