Показать сокращенную информацию

Patrin, G. S.
Turpanov, I. A.
Yushkov, V. I.
Kobyakov, A. V.
Patrin, K. G.
Yurkina, G. Yu.
Zhivaya, Ya. A.
2020-01-20T08:03:35Z
2020-01-20T08:03:35Z
2019
Patrin, G. S. Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure [Текст] / G. S. Patrin, I. A. Turpanov, V. I. Yushkov, A. V. Kobyakov, K. G. Patrin, G. Yu. Yurkina, Ya. A. Zhivaya // JETP Letters. — 2019. — Т. 109 (№ 5).
00213640
http://www.mathnet.ru/php/archive.phtml?wshow=paper&jrnid=jetpl&paperid=5841&option_lang=rus
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/129755
Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала.
Films consisting of a hard magnetic ferromagnet CoNi and a soft magnetic ferromagnet FeNi interacting through a nonmagnetic Si semiconductor spacer are experimentally studied. The temperature and field dependences of the magnetic properties of film structures with different silicon thicknesses are examined. It is found that the multilayer structure has the properties inherent in magnetic springs and exhibits positive exchange bias as a function of the silicon thickness
Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure
Journal Article
Published Journal Article
29.19.16
2020-01-20T08:03:35Z
10.1134/S0370274X19050084
Институт инженерной физики и радиоэлектроники
Кафедра физики
Кафедра общей физики
JETP Letters
Q2
Q3


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию