Room temperature spin accumulation effect in boron doped Si created by epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky contact

View/Open:

11_surfinv_tarasov_hanle_final.pdf (638.0 Kb)

URI (for links/citations):

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0304885317328500?via%3Dihub
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/110850

Author:

Tarasov, A. S.

Bondarev, I. A.

Rautskii, M. V.

Lukyanenko, A. V.

Tarasov, I. A.

Varnakov, S. N.

Ovchinnikov, S. G.

Volkov, N. V.

Corporate Contributor:

Институт инженерной физики и радиоэлектроники

Кафедра теоретической физики и волновых явлений

Базовая кафедра физики твердого тела и нанотехнологий

Date:

2018

Journal Name:

Journal of Surface Investigation

Journal Quartile in Scopus:

Q3

Journal Quartile in Web of Science:

без квартиля

Bibliographic Citation:

Tarasov, A. S. Room temperature spin accumulation effect in boron doped Si created by epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky contact [Текст] / A. S. Tarasov, I. A. Bondarev, M. V. Rautskii, A. V. Lukyanenko, I. A. Tarasov, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov // Journal of Surface Investigation. — 2018.

Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала.

Collections:

• Статьи в научных журналах (эффективный контракт) [5211]

Metadata:

Show full item record