Room temperature spin accumulation effect in boron doped Si created by epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky contact

Скачать файл:
URI (для ссылок/цитирований):
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0304885317328500?via%3Dihub
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/110850
Автор:
Tarasov, A. S.
Bondarev, I. A.
Rautskii, M. V.
Lukyanenko, A. V.
Tarasov, I. A.
Varnakov, S. N.
Ovchinnikov, S. G.
Volkov, N. V.
Коллективный автор:
Институт инженерной физики и радиоэлектроники
Кафедра теоретической физики и волновых явлений
Базовая кафедра физики твердого тела и нанотехнологий
Дата:
2018
Журнал:
Journal of Surface Investigation
Квартиль журнала в Scopus:
Q3
Квартиль журнала в Web of Science:
без квартиля
Библиографическое описание:
Tarasov, A. S. Room temperature spin accumulation effect in boron doped Si created by epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky contact [Текст] / A. S. Tarasov, I. A. Bondarev, M. V. Rautskii, A. V. Lukyanenko, I. A. Tarasov, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov // Journal of Surface Investigation. — 2018.

Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала.
Коллекции:
Метаданные:
Показать полную информацию