Показать сокращенную информацию
Room temperature spin accumulation effect in boron doped Si created by epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky contact
| Автор | Tarasov, A. S. | |
| Автор | Bondarev, I. A. | |
| Автор | Rautskii, M. V. | |
| Автор | Lukyanenko, A. V. | |
| Автор | Tarasov, I. A. | |
| Автор | Varnakov, S. N. | |
| Автор | Ovchinnikov, S. G. | |
| Автор | Volkov, N. V. | |
| Дата внесения | 2019-07-01T07:26:52Z | |
| Дата, когда ресурс стал доступен | 2019-07-01T07:26:52Z | |
| Дата публикации | 2018 | |
| Библиографическое описание | Tarasov, A. S. Room temperature spin accumulation effect in boron doped Si created by epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky contact [Текст] / A. S. Tarasov, I. A. Bondarev, M. V. Rautskii, A. V. Lukyanenko, I. A. Tarasov, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov // Journal of Surface Investigation. — 2018. | |
| ISSN | 10274510 | |
| URI (для ссылок/цитирований) | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0304885317328500?via%3Dihub | |
| URI (для ссылок/цитирований) | https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/110850 | |
| Описание | Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала. | |
| Название | Room temperature spin accumulation effect in boron doped Si created by epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky contact | |
| Тип | Journal Article | |
| Тип | Published Journal Article | |
| ГРНТИ | 29.19.03 | |
| Дата обновления | 2019-07-01T07:26:52Z | |
| Институт | Институт инженерной физики и радиоэлектроники | |
| Подразделение | Кафедра теоретической физики и волновых явлений | |
| Подразделение | Базовая кафедра физики твердого тела и нанотехнологий | |
| Журнал | Journal of Surface Investigation | |
| Квартиль журнала в Scopus | Q3 | |
| Квартиль журнала в Web of Science | без квартиля |
