Electron microscopy study of the structural defect formation in ZnS under irradiation by electrons with energy of 400 keV
Скачать файл:
URI (для ссылок/цитирований):
https://link.springer.com/article/10.1134/S1063783416120179https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/69970
Дата:
2016-12Журнал:
Physics of the Solid StateКвартиль журнала в Scopus:
Q2Квартиль журнала в Web of Science:
Q4Библиографическое описание:
Логинов, Юрий Юрьевич. Electron microscopy study of the structural defect formation in ZnS under irradiation by electrons with energy of 400 keV [Текст] / Юрий Юрьевич Логинов, Анатолий Васильевич Брильков, Александр Владимирович Мозжерин // Physics of the Solid State. — 2016. — Т. 58 (№ 12). — С. 2468-2471Аннотация:
Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовали кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металл-органической паро-фазовой эпитаксии (MOVPE), после облучения in situ в электронном микроскопе с энергией электронов 400 keV и интенсивностью (1 - 4)∙1019 e/cm^2s. Показано, что при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5 - 45 nm и плотностью 1.4∙10^11 cm^-2, а также пор и выделений новой фазы, размерами ≤10 nm, Выделения могут быть идентифицированы из анализа муарового контраста как ZnO и ZnO2