Magnetic resonance studies of three-layer FeNi/Bi/FeNi films
View/ Open:
URI (for links/citations):
http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/r/index/r/151/5/p916?a=listhttps://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/69502
Author:
Патрин, К. Г.
Яриков, С. А.
Патрин, Г. С.
Яковчук, В. Ю.
Лямкин, А. И.
Corporate Contributor:
Институт инженерной физики и радиоэлектроники
Кафедра экспериментальной и инновационных технологий
Date:
2017-05Journal Name:
Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики - Journal of Experimental and Theoretical PhysicsJournal Quartile in Scopus:
Q2Journal Quartile in Web of Science:
Q3Bibliographic Citation:
Патрин, К. Г. Magnetic resonance studies of three-layer FeNi/Bi/FeNi films [Текст] / К. Г. Патрин, С. А. Яриков, Г. С. Патрин, В. Ю. Яковчук, А. И. Лямкин // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики - Journal of Experimental and Theoretical Physics. — 2017. — Т. 124 (№ 5). — С. 916-923Abstract:
Представлены результаты исследований межслоевых взаимодействий в трехслойных пленках FeNi/Bi/FeNi методом электронного магнитного резонанса. Показано, что заметную роль в формировании магнитного состояния пленочной структуры играет магнитная анизотропия на интерфейсе пермаллой–висмут. Установлено, что период осцилляций межслоевого взаимодействия составляет около 8 нм. Определены величины и температурные зависимости межслоевого обмена и интерфейсной анизотропии.