Показать сокращенную информацию

Afonin, Aleksey O.en
Alexandrovsky, Alexander A.en
Govorun, Ilya V.en
Leksikov, Alexander A.en
Ugryumov, Andrey V.en
Ogorodnikov, Dmitriy K.en
Афонин, Алексей О.ru_RU
Александровский, Александр А.ru_RU
Говорун, Илья В.ru_RU
Лексиков, Александр A.ru_RU
Угрюмов, Андрей В.ru_RU
Огородников, Дмитрий К.ru_RU
2024-03-11T06:12:30Z
2024-03-11T06:12:30Z
2024-04
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/152678
A new construction of dual band HTSC power limiter is proposed. The device consists of two microstrip bandpass filters. Each filter consists of two quarter-wave resonators which couple through a composite half-wave resonator with HTSC-element. The prototype of the device in the open mode has operation passband of about 10% and 11% with central frequency being equal to 1.48 GHz and 2.03 GHz, the minimum loss in the passband is equal 1.9 dB and 1.7 dB for LF-channel and HF-channel correspondingly. The transfer characteristics of the device were investigated in the case of microwave power level up to 3.15 Wen
Предложена новая конструкция ВТСП ограничителя мощности с двумя рабочими полосами. Ограничитель содержит два микрополосковых полосно-пропускающих фильтра. Каждый фильтр состоит из двух четвертьволновых резонаторов, которые связаны между собой через составной полуволновый резонатор, содержащий пленку из высокотемпературного сверхпроводника. Макет устройства в открытом режиме имеет ширины рабочих полос пропускания 10% и 11% с центральными частотами 1.48 ГГц и 2.03 ГГц. Минимальные вносимые потери составили 1.9 дБ и 1.7 дБ для НЧ- и ВЧ-каналов соответственно. Передаточные характеристики устройства были исследованы до уровня СВЧ-мощности 3.15 Втru_RU
enen
Journal of Siberian Federal University. Сибирский федеральный университетen
power limiteren
microwaveen
HTSCen
microstrip structureen
ограничитель мощностиru_RU
СВЧru_RU
ВТСПru_RU
микрополосковая структураru_RU
Dual Band HTSC Power Limiteren
ВТСП ограничитель мощности с двумя рабочими полосамиru_RU
Journal Articleen
Afonin, Aleksey O. : Kirensky Institute of Physics SB RAS Krasnoyarsk, Russian Federation; afoninao@iph.krasn.ruen
Alexandrovsky, Alexander A. : Kirensky Institute of Physics SB RAS Krasnoyarsk, Russian Federation; a.a.aleksandrovskiy@gmail.comen
Govorun, Ilya V. : Kirensky Institute of Physics SB RAS Krasnoyarsk, Russian Federation; Reshetnev Siberian State University of Science and Technology Krasnoyarsk, Russian Federation; govorun-ilya@mail.ruen
Leksikov, Alexander A. : Kirensky Institute of Physics SB RAS Krasnoyarsk, Russian Federation; leksikov@iph.krasn.ruen
Ugryumov, Andrey V. : Kirensky Institute of Physics SB RAS Krasnoyarsk, Russian Federation; ugrumovav@iph.krasn.ruen
Ogorodnikov, Dmitriy K. : Siberian Federal University Krasnoyarsk, Russian Federation; vagabondclash@gmail.comen
Афонин, Алексей О. : Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Красноярск, Российская Федерацияru_RU
Александровский, Александр А. : Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Красноярск, Российская Федерацияru_RU
Говорун, Илья В. : Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Красноярск, Российская Федерация; Сибирский государственный университет науки и технологий им. М. Ф. ˙Решетнева Красноярск, Российская Федерацияru_RU
Лексиков, Александр A.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Красноярск, Российская Федерацияru_RU
Угрюмов, Андрей В. : Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Красноярск, Российская Федерацияru_RU
Огородников, Дмитрий К. : Сибирский федеральный университет Красноярск, Российская Федерацияru_RU
162–168ru_RU
Журнал сибирского федерального университета. 2024 17(2). Journal of Siberian Federal University. Mathematics & Physics. 2024 17(2)en
BKJSCW


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию