Magnetic-field-driven electron transport in SOI back-gate device

Shanidze, L. V.; Tarasov, A. S.; Lukyanenko, A. V.; Rautskii, M. V.; Yakovlev, I. A.; Zelenov, F. V.; Baron, F. A.; Volkov, N. V.

doi:10.1088/1742-6596/1410/1/012204

Автор:

Shanidze, L. V.

Tarasov, A. S.

Lukyanenko, A. V.

Rautskii, M. V.

Yakovlev, I. A.

Zelenov, F. V.

Baron, F. A.

Volkov, N. V.

Коллективный автор:

Институт инженерной физики и радиоэлектроники

Базовая кафедра физики твердого тела и нанотехнологий

Дата:

2019-12

Журнал:

Journal of Physics: Conference Series

Квартиль журнала в Scopus:

Библиографическое описание:

Shanidze, L. V. Magnetic-field-driven electron transport in SOI back-gate device [Текст] / L. V. Shanidze, A. S. Tarasov, A. V. Lukyanenko, M. V. Rautskii, I. A. Yakovlev, F. V. Zelenov, F. A. Baron, N. V. Volkov // Journal of Physics: Conference Series. — 2019. — Т. 1410 (№ 1). — С. 012204

Коллекции:

Статьи в научных журналах (эффективный контракт) [5211]

Метаданные:

Показать полную информацию