Control of the Shape of Semiconductor Crystals when Growing in Czochralski Method

Abstract

A model of the formation temperature and the rate of withdrawal of semiconductor crystals when grown by the method of “Czochralski”, which allows you to control the shape of the crystals, providing a flat solidification front and getting a quality finished product

Предложена модель формирования температуры и скорости вытягивания полупроводниковых кристаллов при выращивании по способу Чохральского, которая позволяет управлять формой кристаллов, обеспечивая плоский фронт кристаллизации и получение качественной готовой продукции