Показать сокращенную информацию
Study of the photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS structure at cryogenic temperatures
| Автор | Bondarev, I. A. | |
| Автор | Rautskii, M. V. | |
| Автор | Yakovlev, I. A. | |
| Автор | Volochaev, M. N. | |
| Автор | Lukyanenko, A. V. | |
| Автор | Tarasov, A. S. | |
| Автор | Volkov, N. V. | |
| Дата внесения | 2021-08-13T09:32:01Z | |
| Дата, когда ресурс стал доступен | 2021-08-13T09:32:01Z | |
| Дата публикации | 2019-12 | |
| Библиографическое описание | Bondarev, I. A. Study of the photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS structure at cryogenic temperatures [Текст] / I. A. Bondarev, M. V. Rautskii, I. A. Yakovlev, M. N. Volochaev, A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, N. V. Volkov // Semiconductors. — 2019. — Т. 53 (№ 14). | |
| ISSN | 10637826 | |
| URI (для ссылок/цитирований) | https://www.springer.com/journal/11453 | |
| URI (для ссылок/цитирований) | https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/142697 | |
| Описание | Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала. | |
| Название | Study of the photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS structure at cryogenic temperatures | |
| Тип | Journal Article | |
| Тип | Journal Article Preprint | |
| Дата обновления | 2021-08-13T09:32:01Z | |
| DOI | 10.1134/S1063782619140045 | |
| Институт | Институт инженерной физики и радиоэлектроники | |
| Подразделение | Базовая кафедра физики твердого тела и нанотехнологий | |
| Журнал | Semiconductors | |
| Квартиль журнала в Scopus | Q3 | |
| Квартиль журнала в Web of Science | Q4 |
