Study of the photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS structure at cryogenic temperatures
Скачать файл:
URI (для ссылок/цитирований):
https://www.springer.com/journal/11453https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/142697
Автор:
Bondarev, I. A.
Rautskii, M. V.
Yakovlev, I. A.
Volochaev, M. N.
Lukyanenko, A. V.
Tarasov, A. S.
Volkov, N. V.
Коллективный автор:
Институт инженерной физики и радиоэлектроники
Базовая кафедра физики твердого тела и нанотехнологий
Дата:
2019-12Журнал:
SemiconductorsКвартиль журнала в Scopus:
Q3Квартиль журнала в Web of Science:
Q4Библиографическое описание:
Bondarev, I. A. Study of the photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS structure at cryogenic temperatures [Текст] / I. A. Bondarev, M. V. Rautskii, I. A. Yakovlev, M. N. Volochaev, A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, N. V. Volkov // Semiconductors. — 2019. — Т. 53 (№ 14).Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала.