Показать сокращенную информацию
Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi=Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure
| Автор | Патрин, Г. С. | |
| Автор | Турпанов, И. А. | |
| Автор | Юшков, В. И. | |
| Автор | Кобяков, А. В. | |
| Автор | Патрин, К. Г. | |
| Автор | Юркин, Г. Ю. | |
| Автор | Живая, Я. А. | |
| Дата внесения | 2020-01-20T08:03:39Z | |
| Дата, когда ресурс стал доступен | 2020-01-20T08:03:39Z | |
| Дата публикации | 2019-05 | |
| Библиографическое описание | Патрин, Г. С. Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi=Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure [Текст] / Г. С. Патрин, И. А. Турпанов, В. И. Юшков, А. В. Кобяков, К. Г. Патрин, Г. Ю. Юркин, Я. А. Живая // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики: конденсированные среды. — 2019. — Т. 109 (№ 5). — С. 325-330 | |
| URI (для ссылок/цитирований) | http://jetpletters.ac.ru/ps/2216/index.shtml | |
| URI (для ссылок/цитирований) | https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/129759 | |
| Описание | Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала. | |
| Аннотация | Представлены результаты экспериментальных исследований пленок в системе магнитожесткий ферромагнетик (CoNi) – магнитомягкий ферромагнетик (FeNi), взаимодействующих через немагнитную полупроводниковую прослойку кремния (Si). Проведены температурные и полевые исследования магнитных свойств пленочных структур с различными толщинами кремния. Обнаружено, что многослойная структура наряду со свойствами, присущими магнитным пружинам, проявляет эффект положительного обменного смещения, зависящим от толщины кремния. | |
| Тема | Трехслойные пленки | |
| Тема | обменное смещение | |
| Тема | магнитожесткий слой | |
| Тема | полупроводниковая прослойка | |
| Тема | магнитная пружина | |
| Название | Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi=Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure | |
| Тип | Journal Article | |
| Тип | Published Journal Article | |
| Страницы | 325-330 | |
| ГРНТИ | 29.19.16 | |
| Дата обновления | 2020-01-20T08:03:39Z | |
| DOI | 10.1134/S0370274X19050084 | |
| Институт | Институт инженерной физики и радиоэлектроники | |
| Подразделение | Кафедра общей физики | |
| Журнал | Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики | |
| Квартиль журнала в Scopus | Q2 | |
| Квартиль журнала в Web of Science | Q3 |
