Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi=Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure
Скачать файл:
URI (для ссылок/цитирований):
http://jetpletters.ac.ru/ps/2216/index.shtmlhttps://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/129759
Автор:
Патрин, Г. С.
Турпанов, И. А.
Юшков, В. И.
Кобяков, А. В.
Патрин, К. Г.
Юркин, Г. Ю.
Живая, Я. А.
Коллективный автор:
Институт инженерной физики и радиоэлектроники
Кафедра общей физики
Дата:
2019-05Журнал:
Письма в журнал экспериментальной и теоретической физикиКвартиль журнала в Scopus:
Q2Квартиль журнала в Web of Science:
Q3Библиографическое описание:
Патрин, Г. С. Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi=Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure [Текст] / Г. С. Патрин, И. А. Турпанов, В. И. Юшков, А. В. Кобяков, К. Г. Патрин, Г. Ю. Юркин, Я. А. Живая // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики: конденсированные среды. — 2019. — Т. 109 (№ 5). — С. 325-330Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала.
Аннотация:
Представлены результаты экспериментальных исследований пленок в системе магнитожесткий ферромагнетик (CoNi) – магнитомягкий ферромагнетик (FeNi), взаимодействующих через немагнитную
полупроводниковую прослойку кремния (Si). Проведены температурные и полевые исследования магнитных свойств пленочных структур с различными толщинами кремния. Обнаружено, что многослойная
структура наряду со свойствами, присущими магнитным пружинам, проявляет эффект положительного
обменного смещения, зависящим от толщины кремния.