Показать сокращенную информацию
Влияние строения на электропроводность кристаллов полупроводникового германия
Автор | Шиманский, А.Ф. | ru |
Автор | Shimanskiy, Alexander F. | en |
Автор | Подкопаев, О.И. | ru |
Автор | Podkopaev, Oleg I. | en |
Автор | Вахрин, В.В. | ru |
Автор | Vahrin, Victor V. | en |
Дата внесения | 2012-02-17T05:38:16Z | |
Дата, когда ресурс стал доступен | 2012-02-17T05:38:16Z | |
Дата публикации | 2011-11 | en |
URI (для ссылок/цитирований) | https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/2680 | |
Аннотация | Установлен характер взаимосвязи электропроводности и строения поликристаллических образцов германия полупроводникового оптического качества (ГПО) и особо чистого германия (ОЧГ). Удельная электрическая проводимость ГПО снижается при уменьшении размера кристаллитов, что связано с уменьшением подвижности носителей заряда, вызванным их рассеянием на границах кристаллитов. Противоположная тенденция выявлена при исследовании ОЧГ, его электропроводность возрастает с уменьшением размера кристаллитов вследствие увеличения концентрации поверхностных электронных состояний. | ru |
Аннотация | The correlation of the electrical conductivity and structure of polycrystalline semiconductor optical germanium (SOGe) and high-pure germanium (HPGe) is established. The conductivity of SOGe is reduced with decrease of grain size, that is connected to decrease of carrier mobility, as result of dispersion on crystallites boundaries. The conductivity of HPGe is increased with reduced grain size, following increased electronic surface states concentration. | en |
Язык | ru | en |
Издатель | Сибирский федеральный университет. Siberian Federal University. | en |
Является частью серии | 2011 4 ( 5 ) | en |
Является частью серии | Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. Journal of Siberian Federal University. Engineering & Technologies. | en |
Тема | полупроводники | ru |
Тема | германий | ru |
Тема | электропроводность | ru |
Тема | поверхностные электронные состояния | ru |
Тема | semiconductors | en |
Тема | germanium | en |
Тема | the electrical conductivity | en |
Тема | electronic surface states | en |
Название | Влияние строения на электропроводность кристаллов полупроводникового германия | ru |
Альтернативное название | Influence of Crystal Structure on the Electrical Conductivity of Semiconducting Germanium | en |
Тип | Journal Article | |
Тип | Published Journal Article | |
Контакты автора | Шиманский, А.Ф. : Сибирский федеральный университет , Россия 660025, Красноярск, пр. Свободный, 79 , e-mail: shimanaf@mail.ru | ru |
Контакты автора | Shimanskiy, Alexander F. : Siberian Federal University , 79 Svobodny, Krasnoyarsk, 660041 Russia , e-mail: shimanaf@mail.ru | en |
Контакты автора | Подкопаев, О.И. : ОАО «Германий» , Россия 660027, Красноярск, Транспортный проезд, 1 | ru |
Контакты автора | Podkopaev, Oleg I. : OJSC Germanium , 1 Transportny, Krasnoyarsk, 660027 Russia | en |
Контакты автора | Вахрин, В.В. : ОАО «Германий» , Россия 660027, Красноярск, Транспортный проезд, 1 | ru |
Контакты автора | Vahrin, Victor V. : OJSC Germanium , 1 Transportny, Krasnoyarsk, 660027 Russia | en |
Страницы | 542-546 | en |