The GAN Era has Arrived in SATCOM Power Amplifiers

Abstract

In this paper features, characteristics and comparisons of gallium nitride high electron mobility transistors (GaNHEMTs) power amplifiers are considered.Maximum operating temperature widespread now, gallium arsenide GaAs transistors is 175o C. They are inferior to the transistors based on gallium nitride GaN, and keep steadily working frequency characteristics at operating temperatures up to 2500C. This greatly reduces the problem of heat removal. These transistors operate at voltages up to 100 V against the maximum of 20 V for GaAs transistors at equivalent power output. Therefore, GaN transistors and power amplifiers, they are particularly relevant for applications in space exploration. In Paradise Datacom (USA) designed power amplifiers in different ranges of frequencies with a power output of up to 50 to 750 watts

В статье описаны функции, характеристики транзисторов GaN с высокой подвижностью электронов в усилителях мощности. Предельной рабочей температурой широко распространенных до настоящего времени арсенид-галлиевых GaAs-транзисторов является 175 °C. Они уступают транзисторам на основе нитрида галлия GaN, устойчиво работающих и сохраняющих частотные характеристики при рабочих температурах до 2500 °C. Это значительно уменьшает проблему отвода тепла. Эти транзисторы работают при напряжении питания до 100 В против максимально 20 В для GaAs-транзисторов при эквивалентной мощности выходного сигнала. Поэтому GaN-транзисторы и усилители мощности на них особенно актуальны для приложений в космической сфере. В Paradise Datacom (США) разработаны усилители мощности в различных диапазонах частот с мощностью выходного сигнала от 50 до 750 Вт