Диэлектрические свойства Bi₂MgTaNbO₉

Abstract

Керамическим методом синтеза получен фазово-чистый сложный оксид состава Bi2MgNbTaO9 со структурой пирохлора. Образец охарактеризован методами рентгенофазового и ЭДС анализов, электронной сканирующей микроскопии. Электрические свойства образцов разной толщины исследованы методом импеданс-спектроскопии. Параметр элементарной ячейки составляет a=1.0544 нм (пр. гр. Fd3m). В результате моделирования годографов импеданса предложена эквивалентная схема, удовлетворительно описывающая электрическое поведение образца. Для Bi2MgNbTaO9 характерна высокая энергия активации 1.28 эВ, умеренно высокая диэлектрическая проницаемость ~62–71 и тангенс диэлектрических потерь ~0.003 при 1 МГц и 18 °C. Ионный перенос не обнаружен. Исследованная керамика может быть использована при создании многослойных керамических конденсаторов

A phase-pure mixed oxide of the composition Bi2MgNbTaO9 with a pyrochlore structure was obtained by the ceramic synthesis method. The sample was characterized by the methods of X-ray phase and EDS analyzes, electron scanning microscopy. The electrical properties of samples of different thicknesses were investigated by impedance spectroscopy. The unit cell parameter is a = 1.0544 nm (sp. gr. Fd3m). As a result of modeling the impedance hodographs, an equivalent circuit is proposed that satisfactorily describes the electrical behavior of the sample. Bi2MgNbTaO9 is characterized by a high activation energy of 1.28 eV; moderately high dielectric constant ~62–71 and dielectric loss tangent ~0.003 at 1 MHz and 18 °С. No ionic transfer was detected. The investigated ceramics can be used to create multilayer ceramic capacitors