Показать сокращенную информацию
Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe3Si/p-Si structure
| Автор | Tarasov, A. S. | |
| Автор | Lukyanenko, A. V. | |
| Автор | Rautskii, M. V. | |
| Автор | Bondarev, I. A. | |
| Автор | Smolyakov, D. A. | |
| Автор | Tarasov, I. A. | |
| Автор | Yakovlev, I. A. | |
| Автор | Varnakov, S. N. | |
| Автор | Ovchinnikov, S. G. | |
| Автор | Baron, F. A. | |
| Автор | Volkov, N. V. | |
| Дата внесения | 2020-01-20T08:02:36Z | |
| Дата, когда ресурс стал доступен | 2020-01-20T08:02:36Z | |
| Дата публикации | 2019 | |
| Библиографическое описание | Tarasov, A. S. Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe3Si/p-Si structure [Текст] / A. S. Tarasov, A. V. Lukyanenko, M. V. Rautskii, I. A. Bondarev, D. A. Smolyakov, I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinnikov, F. A. Baron, N. V. Volkov // Semiconductor Science and Technology. — 2019. | |
| ISSN | 02681242 | |
| URI (для ссылок/цитирований) | https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab0327 | |
| URI (для ссылок/цитирований) | https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/129676 | |
| Название | Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe3Si/p-Si structure | |
| Тип | Journal Article | |
| Тип | Journal Article Preprint | |
| ГРНТИ | 29.19.03 | |
| Дата обновления | 2020-01-20T08:02:36Z | |
| DOI | 10.1088/1361-6641/ab0327 | |
| Институт | Институт инженерной физики и радиоэлектроники | |
| Подразделение | Кафедра теоретической физики и волновых явлений | |
| Журнал | Semiconductor Science and Technology | |
| Квартиль журнала в Scopus | Q1 | |
| Квартиль журнала в Web of Science | Q2 |
