Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe 3 Si/p-Si structure
URI (для ссылок/цитирований):
https://iopscience.iop.org/issue/0268-1242/34/2https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/128993
Автор:
Tarasov, A. S.
Lukyanenko, A. V.
Rautskii, M. V.
Bondarev, I. A.
Smolyakov D.A
Tarasov I.A
Yakovlev I.A
Varnakov S.N
Ovchinnikov, S. G.
Baron, F. A.
Volkov, N. V.
Коллективный автор:
Институт инженерной физики и радиоэлектроники
Базовая кафедра физики твердого тела и нанотехнологий