Особенности двухмагнонных процессов релаксации в нанокристаллических тонких магнитных пленках /Two-Magnon Relaxation Processes in Nanocrystalline Thin Magnetic Films
URI (for links/citations):
https://link.springer.com/article/10.1007%2Fs11182-019-01673-4https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/128634
Author:
Изотов, А. В.
Беляев, Б. А.
Соловьев, П. Н.
Боев, Н. М.
Corporate Contributor:
Институт инженерной физики и радиоэлектроники
Кафедра радиотехники
Date:
2019-04Journal Name:
Russian Physics JournalJournal Quartile in Scopus:
Q4Journal Quartile in Web of Science:
Q4Bibliographic Citation:
Изотов, А. В. Особенности двухмагнонных процессов релаксации в нанокристаллических тонких магнитных пленках /Two-Magnon Relaxation Processes in Nanocrystalline Thin Magnetic Films [Текст] / А. В. Изотов, Б. А. Беляев, П. Н. Соловьев, Н. М. Боев // Russian Physics Journal. — 2019. — Т. 61 (№ 12). — С. 2313-2320Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала.
Abstract:
Численным анализом микромагнитной модели обнаружена «резонансная» особенность процессов релаксации в нанокристаллических тонких магнитных пленках. Особенность проявляется в виде резкого уширения линии ферромагнитного резонанса (ФМР) на определенной частоте f1, зависящей от магнитных характеристик пленки, и она наблюдается только в пленках, толщина которых превышает некоторое пороговое значение dmin. Резкое уширение линии ФМР сопровождается значительным смещением резонансного поля, причем величина смещения меняет знак на частоте ~ f1. Аналитически показано, что природа наблюдаемых эффектов связана с двухмагнонным процессом рассеяния спиновых волн на квазипериодической магнитной микроструктуре - «ряби» намагниченности. Полученные выражения для порогового значения толщины пленки dmin и частоты максимального уширения линии ФМР f1 хорошо согласуются с результатами численного расчета микромагнитной модели.