Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe3Si/p-Si structure

Tarasov, A. S.; Lukyanenko, A. V.; Rautskii, M. V.; Bondarev, I. A.; Smolyakov, D. A.; Tarasov, I. A.; Yakovlev, I. A.; Varnakov, S. N.; Ovchinnikov, S. G.; Baron, F. A.; Volkov, N. V.

doi:10.1088/1361-6641/ab0327

Author:

Tarasov, A. S.

Lukyanenko, A. V.

Rautskii, M. V.

Bondarev, I. A.

Smolyakov, D. A.

Tarasov, I. A.

Yakovlev, I. A.

Varnakov, S. N.

Ovchinnikov, S. G.

Baron, F. A.

Volkov, N. V.

Corporate Contributor:

Институт инженерной физики и радиоэлектроники

Кафедра теоретической физики и волновых явлений

Date:

2019

Journal Name:

Semiconductor Science and Technology

Journal Quartile in Scopus:

Journal Quartile in Web of Science:

Bibliographic Citation:

Tarasov, A. S. Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe3Si/p-Si structure [Текст] / A. S. Tarasov, A. V. Lukyanenko, M. V. Rautskii, I. A. Bondarev, D. A. Smolyakov, I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinnikov, F. A. Baron, N. V. Volkov // Semiconductor Science and Technology. — 2019.

Collections:

Статьи в научных журналах (эффективный контракт) [5211]

Metadata:

Show full item record