Electron microscopy study of the structural defect formation in ZnS under irradiation by electrons with energy of 400 keV

Abstract

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовали кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металл-органической паро-фазовой эпитаксии (MOVPE), после облучения in situ в электронном микроскопе с энергией электронов 400 keV и интенсивностью (1 - 4)∙1019 e/cm^2s. Показано, что при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5 - 45 nm и плотностью 1.4∙10^11 cm^-2, а также пор и выделений новой фазы, размерами ≤10 nm, Выделения могут быть идентифицированы из анализа муарового контраста как ZnO и ZnO2