Квантово-химическое моделирование атомно-электронной структуры ID материалов на основе галогенидов переходных металлов

Abstract

Выпускная квалификационная работа по теме «Квантово-химическое моделирование атомно-электронной структуры ID материалов на основе галогенидов переходных металлов» содержит 40 страниц текстового документа, ссылки на 39 использованных источников, 17 рисунков. Цели работы:

- поиск эффективных ID материалов на основе галогенидов переходных металлов;

- определение магнитных свойств тригалогенидов переходных металлов;

- расчет зонных структур и плотностей состояния для изучаемых материалов;

- выявить материалы с наибольшей анизотропией оптических свойств. В результате расчетов были определены магнитные и электронные

свойства одномерных материалов на основе галогенидов переходных металлов, построены оптические спектры поглощения для всех структур и выявлены материалы, имеющие наиболее сильную анизотропию оптических свойств.