Показать сокращенную информацию
Temperature-dependent Photoconductance and Optical Properties of In2O3 Thin Films Prepared by Autowave Oxidation
Автор | Tambasov, Igor A. | en |
Автор | Maygkov, Victor G. | en |
Автор | Ivanenko, Alexander A. | en |
Автор | Volochaev, Mikhail N. | en |
Автор | Voronin, Anton S. | en |
Автор | Ivanchenko, Fedor S. | en |
Автор | Tambasova, Ekaterina V. | en |
Автор | Тамбасов, Игорь А. | ru_RU |
Автор | Мягков, Виктор Г. | ru_RU |
Автор | Иваненко, Александр А. | ru_RU |
Автор | Воронин, Антон С. | ru_RU |
Автор | Волочаев, Михаил Н. | ru_RU |
Автор | Иванченко, Федор С. | ru_RU |
Автор | Тамбасова, Екатерина В. | ru_RU |
Дата внесения | 2017-09-20T06:29:06Z | |
Дата, когда ресурс стал доступен | 2017-09-20T06:29:06Z | |
Дата публикации | 2017-12 | |
URI (для ссылок/цитирований) | https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/34759 | |
Аннотация | The influences of ultraviolet (UV) irradiation and temperature on the electrical and optical properties in In2O3 films obtained by autowave oxidation were measured experimentally. The film resistance changed slightly for temperatures from 300 to 95 K, and more noticeably when the temperature was further de- creased, measured in the dark. Under UV irradiation, the resistivity of the films at room temperature decreased sharply by 25% and from 300 to 95 K, and continued to decrease by 38% with a further decreasing temperature. When the UV source was turned off, the resistivity relaxed at a rate of 15 Ω/s for the first 30 seconds and 7 Ω/s for the remaining time. The transmittance decreased by 3.1% at a wavelength of 6.3 m after the irradiation ceased. The velocity of the relaxation transmittance was 0.006 %/s. The relaxation of the electrical resistance and transmittance after UV irradiation termination were similar. It was assumed that the dominant mechanism responsible for the change in the conductivity in the indium oxide films during UV irradiation was photoreduction | en |
Аннотация | Экспериментально исследовано влияние ультрафиолетового (УФ) излучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных методом автоволнового окисле- ния. При измерении в темноте сопротивление пленки менялось незначительно при температу- рах от 300 до 95 К и более заметно при дальнейшем уменьшении температуры. Под воздействием УФ–облучения удельное сопротивление пленок при комнатной температуре резко снизилось на 25 %, от 300 до 95 К, и продолжало снижаться до 38% с дальнейшим понижением темпера- туры. При отключении УФ–источника значение сопротивления релаксировало со скоростью 15 Ом/с в течение первых 30 секунд и 7 Ом/с в течение оставшегося времени. После прекращения облучения коэффициент пропускания снизился на 3,1% при длине волны 6,3 мкм. Скорость ре- лаксации коэффициента пропускания составила 0,006 %/с. Релаксации электрического сопротив- ления и коэффициента пропускания после прекращения УФ–облучения были одинаковыми. Пред- полагается, что доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости в пленках оксида индия в процессе УФ-облучения, было фотовосстановление | ru_RU |
Язык | en | en |
Издатель | Сибирский федеральный университет. Siberian Federal University | en |
Тема | In2O3 thin films | en |
Тема | photoconductance | en |
Тема | autowave oxidation | en |
Тема | тонкие пленки In2O3 | ru_RU |
Тема | фотопроводимость | ru_RU |
Тема | автоволновое окисление | ru_RU |
Название | Temperature-dependent Photoconductance and Optical Properties of In2O3 Thin Films Prepared by Autowave Oxidation | en |
Альтернативное название | Температурная зависимость фотопроводимости и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных методом автоволнового окисления | ru_RU |
Тип | Journal Article | |
Тип | Published Journal Article | |
Контакты автора | Tambasov, Igor A.: Kirensky Institute of Physics SB RAS Akademgorodok, 50/38, Krasnoyarsk, 660036, Russia; tambasov_igor@mail.ru | en |
Контакты автора | Maygkov, Victor G.: Kirensky Institute of Physics SB RAS Akademgorodok, 50/38, Krasnoyarsk, 660036, Russia | en |
Контакты автора | Ivanenko, Alexander A.: Kirensky Institute of Physics SB RAS Akademgorodok, 50/38, Krasnoyarsk, 660036, Russia | en |
Контакты автора | Volochaev, Mikhail N.: Kirensky Institute of Physics SB RAS Akademgorodok, 50/38, Krasnoyarsk, 660036, Russia | en |
Контакты автора | Voronin, Anton S.: Krasnoyarsk Scientific Center SB RAS Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, 660036, Russia | en |
Контакты автора | Ivanchenko, Fedor S.: Siberian Federal University Svobodny 79, Krasnoyarsk, 660041, Russia | en |
Контакты автора | Tambasova, Ekaterina V.: Reshetnev Siberian State Aerospace University Krasnoyarskii Rabochii, 31, Krasnoyarsk, 660037, Russia | en |
Контакты автора | Тамбасов, Игорь А.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Россия | ru_RU |
Контакты автора | Мягков, Виктор Г.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Россия | ru_RU |
Контакты автора | Иваненко, Александр А.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Россия | ru_RU |
Контакты автора | Воронин, Антон С.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Россия | ru_RU |
Контакты автора | Волочаев, М.Н.: Институт физики СО РАН им. Л.В. Киренского Россия, 660036, Красноярск, Академгородок, 50/38 | ru_RU |
Контакты автора | Иванченко, Федор С.: Сибирский федеральный университет Свободный 79, Красноярск, 660041, Россия | ru_RU |
Контакты автора | Тамбасова, Екатерина В.: Сибирский государственный аэрокосмический университет Красноярский рабочий, 31, Красноярск, 660037, Россия | ru_RU |
Страницы | 399–409 | ru_RU |
Журнал | Журнал Сибирского федерального университета. Математика и физика. Journal of Siberian Federal University. Mathematics & Physics;2017 10 (4) | en |