Show simple item record

Tambasov, Igor A.en
Maygkov, Victor G.en
Ivanenko, Alexander A.en
Volochaev, Mikhail N.en
Voronin, Anton S.en
Ivanchenko, Fedor S.en
Tambasova, Ekaterina V.en
Тамбасов, Игорь А.ru_RU
Мягков, Виктор Г.ru_RU
Иваненко, Александр А.ru_RU
Воронин, Антон С.ru_RU
Волочаев, Михаил Н.ru_RU
Иванченко, Федор С.ru_RU
Тамбасова, Екатерина В.ru_RU
2017-09-20T06:29:06Z
2017-09-20T06:29:06Z
2017-12
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/34759
The influences of ultraviolet (UV) irradiation and temperature on the electrical and optical properties in In2O3 films obtained by autowave oxidation were measured experimentally. The film resistance changed slightly for temperatures from 300 to 95 K, and more noticeably when the temperature was further de- creased, measured in the dark. Under UV irradiation, the resistivity of the films at room temperature decreased sharply by 25% and from 300 to 95 K, and continued to decrease by 38% with a further decreasing temperature. When the UV source was turned off, the resistivity relaxed at a rate of 15 Ω/s for the first 30 seconds and 7 Ω/s for the remaining time. The transmittance decreased by 3.1% at a wavelength of 6.3 m after the irradiation ceased. The velocity of the relaxation transmittance was 0.006 %/s. The relaxation of the electrical resistance and transmittance after UV irradiation termination were similar. It was assumed that the dominant mechanism responsible for the change in the conductivity in the indium oxide films during UV irradiation was photoreductionen
Экспериментально исследовано влияние ультрафиолетового (УФ) излучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных методом автоволнового окисле- ния. При измерении в темноте сопротивление пленки менялось незначительно при температу- рах от 300 до 95 К и более заметно при дальнейшем уменьшении температуры. Под воздействием УФ–облучения удельное сопротивление пленок при комнатной температуре резко снизилось на 25 %, от 300 до 95 К, и продолжало снижаться до 38% с дальнейшим понижением темпера- туры. При отключении УФ–источника значение сопротивления релаксировало со скоростью 15 Ом/с в течение первых 30 секунд и 7 Ом/с в течение оставшегося времени. После прекращения облучения коэффициент пропускания снизился на 3,1% при длине волны 6,3 мкм. Скорость ре- лаксации коэффициента пропускания составила 0,006 %/с. Релаксации электрического сопротив- ления и коэффициента пропускания после прекращения УФ–облучения были одинаковыми. Пред- полагается, что доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости в пленках оксида индия в процессе УФ-облучения, было фотовосстановлениеru_RU
enen
Сибирский федеральный университет. Siberian Federal Universityen
In2O3 thin filmsen
photoconductanceen
autowave oxidationen
тонкие пленки In2O3ru_RU
фотопроводимостьru_RU
автоволновое окислениеru_RU
Temperature-dependent Photoconductance and Optical Properties of In2O3 Thin Films Prepared by Autowave Oxidationen
Температурная зависимость фотопроводимости и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных методом автоволнового окисленияru_RU
Journal Article
Published Journal Article
Tambasov, Igor A.: Kirensky Institute of Physics SB RAS Akademgorodok, 50/38, Krasnoyarsk, 660036, Russia; tambasov_igor@mail.ruen
Maygkov, Victor G.: Kirensky Institute of Physics SB RAS Akademgorodok, 50/38, Krasnoyarsk, 660036, Russiaen
Ivanenko, Alexander A.: Kirensky Institute of Physics SB RAS Akademgorodok, 50/38, Krasnoyarsk, 660036, Russiaen
Volochaev, Mikhail N.: Kirensky Institute of Physics SB RAS Akademgorodok, 50/38, Krasnoyarsk, 660036, Russiaen
Voronin, Anton S.: Krasnoyarsk Scientific Center SB RAS Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, 660036, Russiaen
Ivanchenko, Fedor S.: Siberian Federal University Svobodny 79, Krasnoyarsk, 660041, Russiaen
Tambasova, Ekaterina V.: Reshetnev Siberian State Aerospace University Krasnoyarskii Rabochii, 31, Krasnoyarsk, 660037, Russiaen
Тамбасов, Игорь А.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Россияru_RU
Мягков, Виктор Г.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Россияru_RU
Иваненко, Александр А.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Россияru_RU
Воронин, Антон С.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Россияru_RU
Волочаев, М.Н.: Институт физики СО РАН им. Л.В. Киренского Россия, 660036, Красноярск, Академгородок, 50/38ru_RU
Иванченко, Федор С.: Сибирский федеральный университет Свободный 79, Красноярск, 660041, Россияru_RU
Тамбасова, Екатерина В.: Сибирский государственный аэрокосмический университет Красноярский рабочий, 31, Красноярск, 660037, Россияru_RU
399–409ru_RU
Журнал Сибирского федерального университета. Математика и физика. Journal of Siberian Federal University. Mathematics & Physics;2017 10 (4)en


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV