Теоретическое исследование свойств нанопленок состава FeSi₂, а также свойств области интерфейса кремний/силицид железа

Abstract

В рамках DFT-расчетов проведено моделирование электронной и геометрической структуры -фазы дисилицида железа FeSi₂, в том числе под действием изотропного и одноосного давления. Обнаружено необычное изменение диэлектрической щели под действием давления в сторону увеличения. Исследована электронная и геометрическая структура нанопленок FeSi₂, а также области интерфейса кремний/силицид железа. Вычислено, что такие нанопленки обладают поверхностной проводимостью с реконструкцией поверхностных слоев. Показано, что при контакте (001) поверхности кремния с -фазой FeSi2 возможно образование совершенной и резкой области перехода, также обладающей поверхностной проводимостью, определяемой в области энергий, близких к уровню Ферми, в основном вкладом от слоев приповерхностного силицида.

Electronic and geometric structure of -phase of crystal FeSi₂ is investigated by DFT calculations at different isotropic and axial pressures. It is revealed unusial increasing of the dielectric gap under the pressures. Also it is investigated electronic and geometric structure of FeSi₂ nanofilms as well as sili- con/iron silicide interface. It is defined that these nanofilms have surface reconstruction and corresponding conductivity. It is shown that contact of (001) silicon surface and corresponding surface of −FeSi₂ silicide lead to narrow perfet interface having conductivity near fermi level mainly due to contribution of the silicide surface layers.