Теоретическое исследование зависимости миграции одиночной вакансии в графене от деформации

Abstract

Проведено теоретическое исследование влияния внешнего давления на миграцию дефектов в графеновых слоях. Установлено, что сжатие структуры в направлении, параллельном миграции вакансии, а также растяжение в перпендикулярном направлении понижают энергию активации перемещения вакансий, что приводит к увеличению частоты перескока. На основании полученных данных возможно создание метода, позволяющего локализовать дефекты в структуре графена, не прибегая к отжигу до высоких температур.

Theoretical investigation of influence of external pressure on defects migration in the graphene layers has been performed. It has been shown that compression of structure along parallel direction and extension along perpendicular direction to the vacancy migration decrease activation energy of vacancy migration. It leads to increasing of jump frequency. On the basis of derived results it is possible to create method allowing us to localize defects in the graphene structure without annealing up to the high temperatures.