Show simple item record

Turner, Steveen
Тёрнер, С.ru_RU
2015-06-09T09:26:34Z
2015-06-09T09:26:34Z
2015-05
http://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/16838
In this paper features, characteristics and comparisons of gallium nitride high electron mobility transistors (GaNHEMTs) power amplifiers are considered.Maximum operating temperature widespread now, gallium arsenide GaAs transistors is 175o C. They are inferior to the transistors based on gallium nitride GaN, and keep steadily working frequency characteristics at operating temperatures up to 2500C. This greatly reduces the problem of heat removal. These transistors operate at voltages up to 100 V against the maximum of 20 V for GaAs transistors at equivalent power output. Therefore, GaN transistors and power amplifiers, they are particularly relevant for applications in space exploration. In Paradise Datacom (USA) designed power amplifiers in different ranges of frequencies with a power output of up to 50 to 750 wattsen
В статье описаны функции, характеристики транзисторов GaN с высокой подвижностью электронов в усилителях мощности. Предельной рабочей температурой широко распространенных до настоящего времени арсенид-галлиевых GaAs-транзисторов является 175 °C. Они уступают транзисторам на основе нитрида галлия GaN, устойчиво работающих и сохраняющих частотные характеристики при рабочих температурах до 2500 °C. Это значительно уменьшает проблему отвода тепла. Эти транзисторы работают при напряжении питания до 100 В против максимально 20 В для GaAs-транзисторов при эквивалентной мощности выходного сигнала. Поэтому GaN-транзисторы и усилители мощности на них особенно актуальны для приложений в космической сфере. В Paradise Datacom (США) разработаны усилители мощности в различных диапазонах частот с мощностью выходного сигнала от 50 до 750 Втru_RU
enen
Сибирский федеральный университет. Siberian Federal University.en
Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. Journal of Siberian Federal University. Engineering & Technologies;2015 8 (3)en
gallium nitride high electron mobility transistorsen
amplifiersen
power amplifiersen
нитрид галлияru_RU
транзисторы с высокой подвижностью электроновru_RU
усилителиru_RU
усилители мощностиru_RU
The GAN Era has Arrived in SATCOM Power Amplifiersen
Эпоха GaN в усилителях мощности САТКОМru_RU
Journal Article
Published Journal Article
Turner, Steve:Teledyne Paradise Datacom LLC 328 Innovation Blvd., Sute 100, State College, PA 16803 USA; E-mail: vak-sfu@mail.ruen
Тёрнер, С.:Teledyne Paradise Datacom LLC 328, Инновации бульвар, офис 100 Государственный колледж, PA 16803, СШАru_RU
297-303


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record