Исследование наногетероструктур WS2-SnO2 фотоэлектрохимического назначения, полученных методом электроискровой эрозии
Автор:
Рахимбеков, К. А.
Ан, В. В.
Молочкова, Д. А.
Блинова, А. А.
Усольцева, Н. В.
Пустовалов, А. В.
Дамдинов, Б. Б.
Rakhimbekov, Kakhramon Anvar Ugli
An, Vladimir V.
Molochkova, Darya A.
Blinova, Anna A.
Usoltseva, Natalya V.
Pustovalov, Aleksey V.
Damdinov, Bair B.
Дата:
2024-11Журнал:
Журнал Сибирского федерального университета. 2024 17(7). Journal of Siberian Federal University. Engineering & Technologies. 2024 17(7)Аннотация:
В данной работе представлены результаты исследований физико‑химических
и фотоэлектрохимических свой ств наногетероструктур WS2-SnO2, полученных методом
электроискровой эрозии. Данные рентгенофазового анализа показали наличие в конечных
продуктах синтеза фаз гексагонального WS2 (JCPDS‑ICDD 87–2417) и орторомбического SnO2
(JCPDS‑ICDD 78–1063), что хорошо согласуется с результатами исследования дифракции
электронов в выбранной области. С помощью просвечивающей электронной микроскопии
и энергодисперсионной спектроскопии было установлено, что полученные материалы представляют
собой наночастицы WS2 с размерами 40–60 нм, адгезировавшие к поверхности наночастиц SnO2
с размерами 10–20 нм This paper presents the results of studies of physicochemical and photoelectrochemical
properties of WS2-SnO2 nanoheterostructures obtained by electrospark erosion. The X‑ray phase analysis
data showed the presence of hexagonal WS2 (JCPDS‑ICDD 87–2417) and orthorhombic SnO2 (JCPDS-
ICDD 78–1063) phases in the final synthesis products, which agrees well with the results of electron
diffraction study in the selected region. Using transmission electron microscopy and energy dispersive
spectroscopy, it was found that the obtained materials were WS2 nanoparticles with 40–60 nm particle
size adhered to the surface of SnO2 nanoparticles with 10–20 nm particle size
Коллекции:
Метаданные:
Показать полную информациюСвязанные материалы
Показаны похожие ресурсы по названию, автору или тематике.
-
Electronic Structure of SnO2 when Doped with Sb and V
Dobrosmislov, Sergei S.; Kirko, Vladimir I.; Nagibin, Genadiy E.; Popov, Zahar I.; Добросмыслов, С.С.; Кирко, В.И.; Нагибин, Г.Е.; Попов, З.И. (Сибирский федеральный университет. Siberian Federal University., 2014-03)There was carried out theoretical and experimental investigation of the influence of Sb and V dopes on the electrophysical properties of the SnO2-based ceramic materials. Modeling was done with the help of the program ... -
Characteristic Physical–Mechanical and High–Temperature Electric Properties Semicinductor Ceramic Based SnO2 with Addition MnO2 and CuO
Dobrosmyslov, Sergey S.; Kirko, Vladimir I.; Nagibin, Gennady E.; Resinkina, Oksana A.; Popov, Zahar I.; Добросмыслов, С.С.; Кирко, В.И; Нагибин, Г.Е.; Резинкина, О.А.; Попов, З.И. (2013-10-31)Ceramic semiconductor SnO2-based materials with MnO2 and CuO additives were synthesized at 1300 ºС and 1400 ºС. There has been carried out an investigation of the physical–mechanical and high–temperature electric properties. ... -
ВЛИЯНИЕ ЖЕЛЕЗА НА ПОЛУЧЕНИЕ ПЛОТНОЙ КЕРАМИКИ SnO2
Марина, Е. А. (Сибирский федеральный университет, 2012) -
Синтез порошков Zn2SnO4 термообработкой соосажденных соединений
Сидорак, А.В.; Sidorak, Andrey V.; Шубин, А.А.; Shubin, Alexander A.; Иванов, В.В.; Ivanov, Viktor V.; Николаева, Н.С.; Nikolayeva, Natalya S. (Сибирский федеральный университет. Siberian Federal University., 2011-09)Представлены результаты исследования процессов синтеза высокодисперсных порошков станната цинка термообработкой совместно осажденных из раствора соединений цинка (гидроксокарбоната) и гидратированного оксида олова (IV). ... -
Electrophysical and physical-mechanical properties of the composite SnO2-Ag (semiconductor-metal) ceramic material
Kirko, V. I.; Dobrosmyslov, S. S.; Nagibin, G. E.; Koptseva, N. P. (2016-01)We investigated the physical and electrical properties of ceramics based on SnO2-Sb2O3-AgO. Electrical properties were investigated in the temperature range 20-1000 0K. It is shown that in the temperature range 200-450 ...