• русский
    • English
  • русский 
    • русский
    • English
    Просмотр элемента 
    •   Главная
    • Научные журналы
    • Журнал СФУ. Техника и технологии. Journal of SibFU. Engineering & Technologies
    • Техника и технологии. Engineering & Technologies. 2009 2 (3)
    • Просмотр элемента
    •   Главная
    • Научные журналы
    • Журнал СФУ. Техника и технологии. Journal of SibFU. Engineering & Technologies
    • Техника и технологии. Engineering & Technologies. 2009 2 (3)
    • Просмотр элемента
    JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

    Расчет влияния условий роста на коэффициент распределения примесных атомов между расплавом и растущим кристаллом

    Thumbnail
    Скачать файл:
    01_lenchenko.pdf (1.028 МБ)
    URI (для ссылок/цитирований):
    http://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/1448
    Автор:
    Ленченко, В.М.
    Lenchenko, Viktor M.
    Логинов, Ю.Ю.
    Loginov, Yuri Y.
    Дата:
    2009-09
    Аннотация:
    Streams of impurity atoms on each of sites 0≤x≤l of border between melt and a growing crystal are submitted as expression j≈aC(0)–bC(l) in which a and b are determined through convective – v0 drift – vd and thermal-diffusion vΘ speeds of carry of impurity atoms accordingly in a melt (аl, bl), in a crystal (аs, bs), and also on border of the unit of phases (аsl, bsl). From a condition of quasistationary process of growth jl=jls=js the distribution coefficient of impurity atoms concentration on each of sites Kl=Cl(0)/Cl, Kls=Cs(0)/Cl(0), Ks=Cs(ds)/Cs(0) are found and the general distribution coefficient of impurity atoms between melt volume and a cooled part of a growing ingot K=Cs/Cl is determined. The received expression for K allows to analyze influence of modes of growth (speed of a crystal grows – vс, a gradient of temperatures (through vΘ) and force fields (through vd)) on carry and accumulation of impurity atoms in a growing crystal.
     
    Потоки примесных атомов (ПА) на каждом из участков 0≤x≤l системы расплав-растущий кристалл представлены в виде выражения j≈aC(0)–bC(l) , в котором a и b определены через скорости переноса ПА (конвективную – v0, дрейфовую – vd и термодиффузионную – vΘ) соответственно в расплаве – (аl, bl), в кристалле – (аs, bs), а также на границе раздела фаз – (аsl, bsl). Из условия квазистационарности процесса роста jl=jls=js найдены коэффициенты распределения концентраций ПА на каждом из участков Kl=Cl(0)/Cl, Kls=Cs(0)/Cl(0), Ks=Cs(ds)/Cs(0), и определен общий коэффициент распределения ПА между объемом расплава и охлаждаемой частью растущего слитка K=Cs/Cl. Полученное выражение для К позволяет анализировать влияние режимов роста (скорости вытягивания слитка – vс, градиента температур (через vΘ) и силовых полей (через vd)) на перенос и накопление ПА в растущем кристалле.
     
    Коллекции:
    • Техника и технологии. Engineering & Technologies. 2009 2 (3) [11]
    Метаданные:
    Показать полную информацию

    DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
    Контакты | Отправить отзыв
    Theme by 
    @mire NV
     

     


    DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
    Контакты | Отправить отзыв
    Theme by 
    @mire NV