Особенности двухмагнонных процессов релаксации в нанокристаллических тонких магнитных пленках=Two-Magnon Relaxation Processes in Nanocrystalline Thin Magnetic Films
URI (для ссылок/цитирований):
https://link.springer.com/article/10.1007%2Fs11182-019-01673-4https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/128834
Автор:
Изотов, Андрей Викторович
Беляев, Борис Афанасьевич
Соловьев, Платон Николаевич
Боев, Никита Михайлович
Коллективный автор:
Институт инженерной физики и радиоэлектроники
Кафедра радиотехники
Научно-исследовательская часть
Дата:
2018-12Журнал:
Russian Physics JournalКвартиль журнала в Scopus:
Q4Квартиль журнала в Web of Science:
Q4Библиографическое описание:
Изотов, Андрей Викторович. Особенности двухмагнонных процессов релаксации в нанокристаллических тонких магнитных пленках=Two-Magnon Relaxation Processes in Nanocrystalline Thin Magnetic Films [Текст] / Андрей Викторович Изотов, Борис Афанасьевич Беляев, Платон Николаевич Соловьев, Никита Михайлович Боев // Russian Physics Journal. — 2018. — Т. 61 (№ 12). — С. 153-159Аннотация:
Численным анализом микромагнитной модели обнаружена «резонансная» особенность процессов релаксации в нанокристаллических тонких магнитных пленках. Особенность проявляется в виде резкого уширения линии ферромагнитного резонанса (ФМР) на определенной частоте f 1, зависящей от магнитных характеристик пленки, и она наблюдается только в пленках, толщина которых превышает некоторое пороговое значение d min. Резкое уширение линии ФМР сопровождается значительным смещением резонансного поля, причем величина смещения меняет знак на частоте ~ f 1. Аналитически показано, что природа наблюдаемых эффектов связана с двухмагнонным процессом рассеяния спиновых волн на квазипериодической магнитной микроструктуре - «ряби» намагниченности. Полученные выражения для порогового значения толщины пленки d min и частоты максимального уширения линии ФМР f 1 хорошо согласуются с результатами численного расчета микромагнитной модели.