Показать сокращенную информацию
Effect of the Addition of Silicon on the Properties of Germanium Single Crystals for IR Optics
Автор | Шиманский, Александр Федорович | |
Автор | Павлюк, Татьяна Олеговна | |
Автор | Копыткова, Светлана Алексеевна | |
Автор | Филатов, Роман Андреевич | |
Автор | Городищева, Анна Николаевна | |
Дата внесения | 2019-07-01T07:28:46Z | |
Дата, когда ресурс стал доступен | 2019-07-01T07:28:46Z | |
Дата публикации | 2018-02 | |
Библиографическое описание | Шиманский, Александр Федорович. Effect of the Addition of Silicon on the Properties of Germanium Single Crystals for IR Optics [Текст] / Александр Федорович Шиманский, Татьяна Олеговна Павлюк, Светлана Алексеевна Копыткова, Роман Андреевич Филатов, Анна Николаевна Городищева // Semiconductors. — 2018. — Т. 52 (№ 2). — С. 264-267 | |
ISSN | 10637826 | |
URI (для ссылок/цитирований) | https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782618020161 | |
URI (для ссылок/цитирований) | https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/111221 | |
Описание | Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала. | |
Аннотация | Homogeneous Sb-doped single crystals of Ge–Si solid solutions are grown with a silicon content of 0.2 to 0.8 at %. The optical absorption of single crystals with a resistivity of (2–3) Ω cm is studied by IR Fourier spectroscopy at a wavelength of 10.6 μm in the temperature range from 25 to 60°C. It is found that the introduction of silicon into antimony-doped germanium improves the temperature stability of the optical properties of the crystals. © 2018, Pleiades Publishing, Ltd. | |
Название | Effect of the Addition of Silicon on the Properties of Germanium Single Crystals for IR Optics | |
Тип | Journal Article | |
Тип | Journal Article Preprint | |
Страницы | 264-267 | |
ГРНТИ | 53.41 | |
Дата обновления | 2019-07-01T07:28:46Z | |
DOI | 10.1134/S1063782618020161 | |
Институт | Институт цветных металлов и материаловедения | |
Подразделение | Кафедра композиционных материалов и физико-химии металлургических процессов | |
Журнал | Semiconductors | |
Квартиль журнала в Scopus | Q3 | |
Квартиль журнала в Web of Science | Q4 |