Показать сокращенную информацию

Шиманский, Александр Федорович
Павлюк, Татьяна Олеговна
Копыткова, Светлана Алексеевна
Филатов, Роман Андреевич
Городищева, Анна Николаевна
2019-07-01T07:28:46Z
2019-07-01T07:28:46Z
2018-02
Шиманский, Александр Федорович. Effect of the Addition of Silicon on the Properties of Germanium Single Crystals for IR Optics [Текст] / Александр Федорович Шиманский, Татьяна Олеговна Павлюк, Светлана Алексеевна Копыткова, Роман Андреевич Филатов, Анна Николаевна Городищева // Semiconductors. — 2018. — Т. 52 (№ 2). — С. 264-267
10637826
https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782618020161
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/111221
Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала.
Homogeneous Sb-doped single crystals of Ge–Si solid solutions are grown with a silicon content of 0.2 to 0.8 at %. The optical absorption of single crystals with a resistivity of (2–3) Ω cm is studied by IR Fourier spectroscopy at a wavelength of 10.6 μm in the temperature range from 25 to 60°C. It is found that the introduction of silicon into antimony-doped germanium improves the temperature stability of the optical properties of the crystals. © 2018, Pleiades Publishing, Ltd.
Effect of the Addition of Silicon on the Properties of Germanium Single Crystals for IR Optics
Journal Article
Journal Article Preprint
264-267
53.41
2019-07-01T07:28:46Z
10.1134/S1063782618020161
Институт цветных металлов и материаловедения
Кафедра композиционных материалов и физико-химии металлургических процессов
Semiconductors
Q3
Q4


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию