Показать сокращенную информацию

Dobrosmislov, Sergei S.en
Kirko, Vladimir I.en
Nagibin, Genadiy E.en
Popov, Zahar I.en
Добросмыслов, С.С.ru_RU
Кирко, В.И.ru_RU
Нагибин, Г.Е.ru_RU
Попов, З.И.ru_RU
2014-05-13T03:56:52Z
2014-05-13T03:56:52Z
2014-03
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/10347
There was carried out theoretical and experimental investigation of the influence of Sb and V dopes on the electrophysical properties of the SnO2-based ceramic materials. Modeling was done with the help of the program package VASP within the density functional formalism. The SnO2-based ceramics was synthesized according to the standard technology at the sintering temperature 1300 ºС with different Sb dope concentrations (1 to 5 %). The material made with V dopes had a low electrical conductivity. The structure investigation showed Sb being completely dissolved in the SnO2. The calculations showed that the activation energies are Egap(SbSn47O96)= 1.19 eV and Egap(VSn47O96)= 1.33 eV. The experimental investigation showed that the increase of the stibium oxide concentration leads to the decrease of the band-gap energy from 1.33 eV to 0.75 eV. The difference between the calculated activation energy value of the Sb-doped SnO2 and that obtained from the experiments is 19 %en
Проведены теоретические и экспериментальные исследования влияния легирующих добавок V и Sb на электрофизические свойства керамического материала на основе диоксида олова. Моделирование осуществлялось с использованием программного пакета VASP в рамках формализма функционала плотности. Керамика на основе диоксида олова синтезировалась по классической технологии при температуре спекания 1300 ºС, с различной концентрацией легирующих добавок сурьмы(от 1 до 5 % ). Материал, полученный при использование ванадия, обладал низкой электропроводностью. Исследование структуры показало полное растворение сурьмы в диоксиде олова. Проведенные расчеты показали, что энергия активации составляет Egap(SbSn47O96)= 1,19 эВ и Egap(VSn47O96)= 1,33 эВ. Экспериментальные исследования свидетельствуют о том, что увеличение концентрации оксида сурьмы приводит к снижению ширины запрещённой зоны с 1,33 до 0,75 eV. Различие между рассчитанным значением энергии активации диоксида олова, легированного сурьмой, и экспериментальными исследованиями составляет 19 %ru_RU
enen
Сибирский федеральный университет. Siberian Federal University.en
Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. Journal of Siberian Federal University. Engineering & Technologies;2014 7 (2 )en
ceramicsen
tin dioxideen
electrical conductivityen
voltage-current characteristic (VCC)en
energy-band structureen
quantum-chemical modelingen
керамикаru_RU
диоксид оловаru_RU
электропроводностьru_RU
вольтамперная характеристикаru_RU
зонная структураru_RU
квантово-химическое моделированиеru_RU
Electronic Structure of SnO2 when Doped with Sb and Ven
Электронная структура диоксида олова при легировании Sb и Vru_RU
Journal Article
Published Journal Article
Dobrosmislov, Sergei S.:Siberian Federal University 79 Svobodny, Krasnoyarsk, 660041, Russia;E-mail: dobrosmislov.s.s@gmail.coen
Kirko, Vladimir I.:Krasnoyarsk State Pedagogical University 89 Ada Lebedeva Str., Krasnoyarsk, 660049, Russiaen
Nagibin, Genadiy E.:Siberian Federal University 79 Svobodny, Krasnoyarsk, 660041, Russiaen
Popov, Zahar I.:Kirensky Institute of Physics 50/38 Akademgorodok ,Krasnoyarsk, 660036, Russiaen
Добросмыслов, С.С.:Сибирский федеральный университет Россия, 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79ru_RU
Кирко, В.И.:КГПУ им. В.П. Астафьева Россия, 660049, Красноярск, ул. Ады Лебедевой, 89ru_RU
Нагибин, Г.Е.:Сибирский федеральный университет Россия, 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79ru_RU
Попов, З.И.:Институт физики Россия, 660036, Красноярск, Академгородок, 50 стр. 38ru_RU
146-153


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию