Показать сокращенную информацию

Moshchenko, Sergey P.en
Lyamkina, Anna A.en
Мощенко, Сергей П.ru_RU
Лямкина, Анна А.ru_RU
2014-04-17T04:49:00Z
2014-04-17T04:49:00Z
2014-04
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/10307
Surface plasmon resonance in metal nanodroplets formed by droplet epitaxy was studied numerically. Metals compatible with molecular beam epitaxy and semimetallic antimony are shown to be effective for plasmonic applications in infrared region. The resonance position can be controlled by varying the droplet size. The increase in the effective droplet size results in the linear redshift of the resonance wavelength. The nanodroplet parameters needed to match a particular quantum dot emission can be founden
Численно изучен поверхностный плазмонный резонанс в металлических нанокаплях, получен- ных с помощью нанокапельной эпитаксии. Показано, что металлы, совместимые с методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), и полуметалл сурьма могут эффективно применяться в плазмонных приложениях в инфракрасном диапазоне. Положением резонанса можно управлять, изменяя размер капли, причем с увеличением эффективного размера резонанс линейно смещает- ся в длинноволновую сторону. Метод позволяет найти параметры капель для подстройки под излучение квантовых точекru_RU
enen
Сибирский федеральный университет. Siberian Federal University.en
Журнал Сибирского федерального университета. Математика и физика. Journal of Siberian Federal University. Mathematics & Physics;2014 7 (2 )en
plasmon resonanceen
discrete dipole approximationen
metal dropleten
plasmonic nanoantennaen
плазмонный резонансru_RU
приближение дискретных диполейru_RU
металлическая капляru_RU
плазмонная антеннаru_RU
Modelling the Localized Surface Plasmon Resonance of Nanoclusters of Group III Metals and Semimetallic Antimonyen
Моделирование локализованного поверхностного плазмонного резонанса в нанокластерах металлов III группы и полуметаллической сурьмеru_RU
Journal Article
Published Journal Article
Moshchenko, Sergey P.:A.V.Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Lavrentieva, 13, Novosibirsk, 630090 Russiaen
Lyamkina, Anna A.:A.V.Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Lavrentieva, 13, Novosibirsk, 630090 Russia; lyamkina@isp.nsc.ruen
Мощенко, Сергей П.ru_RU
Лямкина, Анна А.: lyamkina@isp.nsc.ruru_RU
211–217


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию