Показать сокращенную информацию

Sahanskiy, Sergey P.en
Саханский, С.П.ru_RU
2014-04-11T02:46:13Z
2014-04-11T02:46:13Z
2014-02
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/10289
A model of the formation temperature and the rate of withdrawal of semiconductor crystals when grown by the method of “Czochralski”, which allows you to control the shape of the crystals, providing a flat solidification front and getting a quality finished producten
Предложена модель формирования температуры и скорости вытягивания полупроводниковых кристаллов при выращивании по способу Чохральского, которая позволяет управлять формой кристаллов, обеспечивая плоский фронт кристаллизации и получение качественной готовой продукцииru_RU
enen
Сибирский федеральный университет. Siberian Federal University.en
Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. Journal of Siberian Federal University. Engineering & Technologies;2014 7 (1 )en
modelen
growingen
semiconductor chipsen
модельru_RU
выращиваниеru_RU
полупроводниковые кристаллыru_RU
Control of the Shape of Semiconductor Crystals when Growing in Czochralski Methoden
Управление формой полупроводниковых кристаллов при выращивании по способу Чохральскогоru_RU
Journal Article
Published Journal Article
Sahanskiy, Sergey P.:Siberian Federal University 79 Svobodny, Krasnoyarsk, 660041, Russia;E-mail: Sahanskiy@yandex.ruen
Саханский, С.П.:Сибирский федеральный университет Россия, 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79ru_RU
20-31


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию