Показать сокращенную информацию
Термоэлектрическая добротность в низкоразмерной полупроводниковой среде
Автор | Патрушева, Т.Н. | ru_RU |
Автор | Подорожняк, С.А. | ru_RU |
Автор | Шелованова, Г.Н. | ru_RU |
Автор | Patrusheva, Tamara N. | en |
Автор | Podorozhnyak, Sergei A. | en |
Автор | Shelovanova, Galina N. | en |
Дата внесения | 2013-10-31T04:04:57Z | |
Дата, когда ресурс стал доступен | 2013-10-31T04:04:57Z | |
Дата публикации | 2013-10-31 | |
URI (для ссылок/цитирований) | https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/10050 | |
Аннотация | В работе исследованы термоэлектрические характеристики полупроводниковых систем, которые могут быть использованы для создания термоэлектрических преобразователей. Экспериментально изучены и рассчитаны коэффициенты Зеебека и добротность в системах «полупроводник–пористый полупроводник». Показано, что электрохимическая обработка полупроводников вызывает изменение структуры и энергетических характеристик материалов, что приводит к многократному увеличению коэффициента Зеебека и, соответственно, добротности термоэлектрических систем | ru_RU |
Аннотация | Thermoelectric characteristics of semiconductor systems that can be used to build thermoelectric converters were investigated. The Seebeck coefficient and the quality factor in the systems “ porous semiconductor – semiconductor” were experimentally studied and calculated. It have been shown that the electrochemical treatment of semiconductors causes the changes in the structure and energy characteristics of the materials leading to a multiple increase of the Seebeck coefficient and quality factor of thermoelectric systems | en |
Язык | ru | ru_RU |
Является частью серии | Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. Journal of Siberian Federal University. Engineering & Technologies.;2013 6 ( 6 ); | en |
Тема | термоэлектричество | ru_RU |
Тема | коэффициент Зеебека | ru_RU |
Тема | низкоразмерные среды | ru_RU |
Тема | thermoelectricity | en |
Тема | Seebeck coefficient | en |
Тема | low-dimensional medium | en |
Тема | gallium arsenide | en |
Тема | silicon | en |
Название | Термоэлектрическая добротность в низкоразмерной полупроводниковой среде | ru_RU |
Альтернативное название | Thermoelectric Quality Factor in Low-Dimensional Semiconductor Medium | en |
Тип | Journal Article | |
Тип | Published Journal Article | |
Контакты автора | Патрушева, Т.Н.:Сибирский федеральный университет, Россия 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79 | ru_RU |
Контакты автора | Подорожняк, С.А.:Сибирский федеральный университет, Россия 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79 | ru_RU |
Контакты автора | Шелованова, Г.Н.:Сибирский федеральный университет, Россия 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79; E-mail: sitipro-2011@mail.ru | ru_RU |
Контакты автора | Patrusheva, Tamara N.:Siberian Federal University, 79 Svobodny, Krasnoyarsk, 660041 Russia | en |
Контакты автора | Podorozhnyak, Sergei A.:Siberian Federal University, 79 Svobodny, Krasnoyarsk, 660041 Russia | en |
Контакты автора | Shelovanova, Galina N.:Siberian Federal University, 79 Svobodny, Krasnoyarsk, 660041 Russia | en |
Страницы | 657-664 |